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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF93230 |
| 英文描述： | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| 中文描述： | - 200伏300kRad高可靠性單P溝道MOSFET的工貿(mào)硬化在TO - 205AF包 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRHF93230 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHF9230
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U .T
L
V
DS
VD D
DRIVER
A
15V
-20V
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-12V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
-1.8A
-2.5A
-4.0A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSF2N7390 | -200V 300kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| JANSR2N7390 | -200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| IRHG563110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHG567110 | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| IRHM150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHG110 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 950MA I(D) | DIP |
| IRHG3110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG3214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| IRHG4110 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
| IRHG4214 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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