參數(shù)資料
型號(hào)： IRGSL6B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRGSL6B60K
IRG/B/S/SL6B60K
www.irf.com
5
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 8
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
Fig. 11
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
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PDF描述
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IRGSL8B60K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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