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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGSL15B60KD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 16/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 322K |
| 代理商： | IRGSL15B60KD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB20B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGB30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL30B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGS30B60 | LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGSL15B60KDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V ULTRAFAST 10-30 KHZ COPACK IGBT IN A TO-262 PACKAGE - Rail/Tube |
| IRGSL30B60K | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRGSL30B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGSL4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGSL4B60K | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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