參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 13/15頁(yè)
文件大?。?/td> 307K
代理商： IRGS6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
www.irf.com
13
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
F530S
THIS IS AN IRF530S WITH
LOT CODE 8024
ASSEMBLED ON WW 02, 2000
IN THE ASSEMBLY LINE "L"
ASSEMBLY
LOT CODE
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 0 = 2000
WEEK 02
LINE L
F530S
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 02
P = DESIGNATES LEAD-FREE
YEAPRODUCT (OPTIONAL)
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
LOT CODE
ASSEMBLY
DATE CODE
PART NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRH7450SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)
IRH9130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
IRH93130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS6B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS6B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS6B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 7AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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