參數(shù)資料
型號(hào)： IRGS6B60K
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 245K
代理商： IRGS6B60K
IRG/B/S/SL6B60K
www.irf.com
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I
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Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF3- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGBC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRGBF20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
IRGBF20F Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 10x10 mm; Packaging: Tape & Reel
IRGI4055PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS6B60KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGS6B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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