參數(shù)資料
型號： IRGPS40B120UD
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 40A條一（c）|至247VAR
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： IRGPS40B120UD
IRGPS40B120UD
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25
°
C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40
°
C
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 125
°
C
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
5
10
15
20
VGE (V)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 20A
ICE = 40A
ICE = 80A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 20A
ICE = 40A
ICE = 80A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 20A
ICE = 40A
ICE = 80A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
IC
TJ = 25
°
C
TJ = 125
°
C
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
IRGS14B40L TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 430V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-252VAR
IRGTDN100M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150K06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 170A I(C)
IRGTDN150M06 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
IRGTDN150M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGPS40B120UP 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGPS40B120UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 8-25kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGPS60B120KD 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRGPS60B120KDP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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