參數(shù)資料
型號： IRGP4065PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 326K
代理商： IRGP4065PBF
www.irf.com
3
Fig 1. Typical Output Characteristics @ 25°C
Fig 3. Typical Output Characteristics @ 125°C
Fig 4. Typical Output Characteristics @ 150°C
Fig 2. Typical Output Characteristics @ 75°C
Fig 5. Typical Transfer Characteristics
Fig 6. V
CE(ON)
vs. Gate Voltage
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
240
280
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
VC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC = 25A
0
5
10
15
20
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0
100
200
300
400
500
600
IC
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
IC
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
TOP
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
BOTTOM
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE (V)
0
40
80
120
160
200
IC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP50B60PD1 SMPS IGBT
IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
IRGPC30FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRGPC30UD2 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight
IRGPC40 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP4066D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4066D-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT
IRGP4066DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4066-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4066-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V Low VCEon Trench I
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