參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP4055PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： IRGP4055PBF
2
www.irf.com
Half sine wave with duty cycle = 0.25, ton=1μsec.
R
θ
is measured at
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
CES
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Β
V
CES
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Min.
300
–––
–––
–––
–––
–––
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
100
Typ. Max. Units
–––
–––
0.23
–––
1.10
1.30
1.70
2.10
2.35
–––
1.95
–––
–––
5.0
-11
–––
2.0
25
100
–––
–––
100
–––
-100
38
–––
132
–––
42
–––
–––
–––
V
V/°C
V
V
V
V
V
mV/°C
μA
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
I
CES
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Collector-to-Emitter Leakage Current
I
GES
Gate-to-Emitter Forward Leakage
Gate-to-Emitter Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Collector Charge
Shoot Through Blocking Time
nA
g
fe
Q
g
Q
gc
t
st
S
nC
ns
E
PULSE
Energy per Pulse
μJ
C
iss
C
oss
C
rss
L
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Internal Collector Inductance
–––
–––
–––
–––
4280
200
125
5.0
–––
–––
–––
–––
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
E
Internal Emitter Inductance
–––
13
–––
Static Collector-to-Emitter Voltage
V
CE(on)
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A, T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
CE
= 1mA
–––
705
–––
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V
V
CE
= 300V, V
GE
= 0V, T
J
= 150°C
V
GE
= 30V
V
GE
= -30V
–––
915
–––
V
CE
= 25V, I
CE
= 35A
V
CE
= 200V, I
C
= 35A, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, V
GE
= 15V, R
G
= 5.1
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 25°C
L = 220nH, C= 0.40μF, V
GE
= 15V
V
CC
= 240V, R
G
= 5.1
,
T
J
= 100°C
V
GE
= 0V
= 1.0MHz, See Fig.13
Conditions
V
GE
= 0V, I
CE
= 1 mA
Reference to 25°C, I
CE
= 1mA
V
GE
= 15V, I
CE
= 35A
V
GE
= 15V, I
CE
= 110A
V
GE
= 15V, I
CE
= 200A
V
CE
= 30V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP50B60PD1 SMPS IGBT
IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
IRGPC30FD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP4062D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4062-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 48A 250W TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V 24A TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:Transistor IGBT N-ch 600V 24A TO-247AD
IRGP4063D1-EPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 48A COPAK-247AD - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 100A 330W TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:IR IGBT 600V 600V 48A COPAK-247AD
IRGP4063D1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 48A COPAK-247AC - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 100A 330W TO247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IR IGBT 600V 600V 48A COPAK-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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