參數(shù)資料
型號： IRGP4050
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP Switch
中文描述： 等離子開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 282K
代理商： IRGP4050
6
www.irf.com
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%(
20
40
60
80
100
120
IC, Collecto-to-Emitter (A)
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T
RG =
5.0
TJ = 150°C
VCE= 200V
VGE = 15V
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
IC
VGE = 20V
TJ = 125°
SAFE OPERATING AREA
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PDF描述
IRGP4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGP4065DPBF PDP TRENCH IGBT
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IRGPC20MD2 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
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參數(shù)描述
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IRGP4055DPBF 功能描述:IGBT PDP N-CH 300V TO-247AC RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGP4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-247AC - Bulk
IRGP4062D-EPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast IGBT 5uS 24A 1.65 VCE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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