參數(shù)資料
型號： IRGIB7B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 435K
代理商： IRGIB7B60KD
IRGIB7B60KD
www.irf.com
11
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-500
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-100
0
100
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0.05
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time (μS)
V
F
-20
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-5
0
5
10
15
I
F
Peak
I
RR
t
RR
Q
RR
10%
Peak
IRR
Fig. WF3- Typ. Diode Recovery Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF4- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
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0
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0
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1
Time (uS)
V
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0
2
4
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I
tf
Eoff Loss
90% Ice
5% Vce
5% Ice
Vce
Ice
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0
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0.3
0.5
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Time (uS)
V
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0
4
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I
Eon
Loss
tr
90% Ice
10% Ice
5% Vce
Vce
Ice
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50
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Time (uS)
V
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20
40
60
80
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B120UD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGIB7B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIH50F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGIH50FD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
IRGIH50FU 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
IRGKI0025M12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C)
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