參數(shù)資料
型號： IRGI4085PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH IGBT
中文描述： 等離子溝道IGBT
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大小： 778K
代理商： IRGI4085PBF
6
www.irf.com
Fig 16a.
t
st
and E
PULSE
Test Circuit
Fig 16b.
t
st
Test Waveforms
Fig 16c.
E
PULSE
Test Waveforms
1K
VCC
DUT
0
L
Fig. 17
- Gate Charge Circuit (turn-off)
DRIVER
DUT
L
C
VCC
RG
RG
B
A
Ipulse
Energy
V
CE
I
C
Current
PULSE A
PULSE B
t
ST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGI4090PBF 功能描述:IGBT 晶體管 300V Plasma Display Panel Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB10B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB10B60KD1P 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIB10B60KD1PBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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