參數(shù)資料
型號(hào): IRGI4061DPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)DIODEINSULATED柵雙極晶體管與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
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代理商: IRGI4061DPBF
IRGI4061DPbF
6
www.irf.com
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 11A; T
J
= 150°C
Fig. 24
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 11A, L=600μH
Fig. 23
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 22
- Typ. V
GE
vs Short Circuit Time
V
CC
=400V, T
C
=25°C
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
C
0
500
1000
diF /dt (A/μs)
8
12
16
20
24
IR
0
4
8
12
16
20
24
IF (A)
0
100
200
300
400
E
10
22
47
100
0
600
1200
diF /dt (A/μs)
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
QR
10
22
47
100
22A
11A
5.5A
0
10
20
30
40
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
300V
400V
0
100
200
300
400
500
VCE (V)
1
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
40
60
80
100
120
140
160
4
6
8
10
12
14
16
18
T
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PDF描述
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