參數(shù)資料
型號： IRGBF20
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（的Vce \u003d 900V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 5.3A）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 255K
代理商： IRGBF20
C-241
IRGBF20F
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0
100
200
300
400
500
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
V = 400V
I = 5.3A
0.56
0.57
0.58
0.59
0.60
0.61
0.62
20
25
30
35
40
45
50
55
T
R , Gate Resistance ( )
W
V = 720V
V = 15V
T = 25°C
I = 5.3A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
R = 50
V = 15V
V = 720V
I = 11A
I = 5.3A
I = 2.7A
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相關PDF資料
PDF描述
IRGBF20F Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 6.3V; Case Size: 10x10 mm; Packaging: Tape & Reel
IRGI4055PBF PDP TRENCH IGBT
IRGI4061DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGI4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGI4085PBF PDP TRENCH IGBT
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參數(shù)描述
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