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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGBC40M-S |
| 廠(chǎng)商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 600V的，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 24A條） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | IRGBC40M-S |
C-66
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Case Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
IRGBC40F
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120
140 160
C
V
V = 15V
80μs PULSE WIDTH
I = 54A
I = 27A
I = 14A
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z + TC
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