參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB440U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d的500V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 22A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 252K
代理商： IRGB440U
C-591
IRGB440U
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Case Temperature
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
G
V
Q , Total Gate Charge (nC)
V = 400V
I = 22A
0.1
1
10
-60
-40
-20
T , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
R = 10
V = 15V
V = 400V
I = 44A
I = 22A
I = 11A
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
20
40
60
T
R , Gate Resistance ( )
W
V = 400V
V = 15V
T = 25°C
I = 22A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB5B120KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL6B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGB4B60KD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4B60KD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon Non Punch Through RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRGB5B120KD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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