| 型號: | IRGB4060DPBF |
| 廠商: | International Rectifier |
| 英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 中文描述: | 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù): | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 301K |
| 代理商: | IRGB4060DPBF |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGBC20F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M-S | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC20M | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
| IRGBC30K | Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 4V; Case Size: 6.3x6 mm; Packaging: Tape & Reel |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRGB4061DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4062DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4064DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGB4065PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 70A 3PIN TO-220 - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220 |
| IRGB4086PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 300V Plasma Display Panel IGBT Swtch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |