參數(shù)資料
型號： IRGB4055PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： PDP TRENCH 1GBT
中文描述： 等離子戴1GBT
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 711K
代理商： IRGB4055PBF
4
www.irf.com
Fig 7. Maximum Collector Current vs. Case Temperature
0
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
IC
Limited By Package
Fig 8. Typical Repetitive Peak Current vs. Case
Temperature
Fig 10. Typical E
PULSE
vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 9. Typical E
PULSE
vs. Collector Current
Fig 11. E
PULSE
vs. Temperature
Fig 12. Forrward Bias Safe Operating Area
160
170
180
190
200
210
220
230
Ic, Peak Collector Current (A)
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
VCC = 240V
L = 220nH
C = variable
100°C
25°C
150 160 170 180 190 200 210 220 230 240
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
25
50
75
100
125
150
TJ, Temperature (oC)
200
400
600
800
1000
1200
E
VCC = 240V
L = 220nH
t = 1μs half sine
C= 0.4μF
C= 0.3μF
C= 0.2μF
1
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY VCE(on)
1μsec
10μsec
100μsec
25
50
75
100
125
150
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
R
ton= 1μs
Duty cycle = 0.25
Half Sine Wave
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB4056DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4059DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4060DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4061DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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