參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4045DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 792K
代理商： IRGB4045DPBF
IRGB4045DPbF
6
www.irf.com
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V; T
J
= 175°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 6.0A; T
J
= 175°C
Fig. 24
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 6.0A, L=600μH
Fig. 23
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 22
- Typ. V
GE
vs. Short Circuit Time
V
CC
=400V, T
C
=25°C
Fig. 21
- Typical Diode E
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
0
100
200
300
400
500
VCE (V)
1
10
100
1000
C
Cies
Coes
Cres
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
6
8
10
12
14
16
18
20
IR
0
500
1000
1500
diF /dt (A/μs)
200
400
600
800
1000
1200
QR
10
22
100
47
6.0A
12A
3.0A
2
4
6
8
10
12
14
IF (A)
50
100
150
200
250
300
350
E
RG = 10
RG = 22
RG = 47
RG = 100
8
10
12
14
16
18
VGE (V)
0
5
10
15
20
T
10
20
30
40
50
C
Tsc
Isc
0
2
4
6
8
10
12
14
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
VCES = 400V
VCES = 300V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PBF Advanced Trench IGBT Technology
IRGB4059DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB440U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
IRGB4B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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