參數(shù)資料
型號： IRGB20B60PD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： WARP2系列IGBT與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PbF
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
Fig. 4
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= -40°C; tp = 80μs
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 25°C; tp = 80μs
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 125°C; tp = 80μs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
50
100
150
200
250
Pt
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
0
1
2
3
4
5
6
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
IC
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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