參數資料
型號: IRGB20B60PD1
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS IGBT
中文描述: 的SMPS IGBT
文件頁數: 7/10頁
文件大?。?/td> 351K
代理商: IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD1
www.irf.com
7
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Fig. 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.779 0.000226
3.223 0.001883
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Fig 23.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.0076
0.000001
0.2696
0.000270
0.1568
0.001386
0.1462
0.015586
相關PDF資料
PDF描述
IRGB30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60 LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
IRGB4045DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220