參數(shù)資料
型號： IRGB14C40LPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps
中文描述： IGBT的具有片上柵極發(fā)射極和柵極采集夾
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大?。?/td> 299K
代理商： IRGB14C40LPBF
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2
343
0
53,0212,64
362,64(31%7
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max
Unit
Condition
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 110°C
I
G
I
Gp
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T = 110°C
T
J
T
STG
V
ESD
I
L
Collector-to-Emitter Voltage
Clamped
V
R
G
= 1K
ohm
Continuous Collector Current
20
A
V
GE
= 5V
Continuous Collector Current
14
A
V
GE
= 5V
Continuous Gate Current
1
mA
Peak Gate Current
10
mA t
PK
= 1ms, f = 100Hz
Gate-to-Emitter Voltage
Clamped
V
Maximum Power Dissipation
125
W
Maximum Power Dissipation
54
W
Operating Junction and
- 40 to 175
°C
Storage Temperature Range
- 40 to 175
°C
Electrostatic Voltage
6
KV C = 100pF, R = 1.5K
ohm
Self-clamped Inductive Switching Current
11.5
A
L = 4.7mH, T = 25°C
Thermal Resistance
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.2
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
40
°C/W
(PCB Mounted, Steady State)
Z
θ
JC
Transient Thermal Impedance, Juction-to-Case (Fig.11)
340356
相關PDF資料
PDF描述
IRGB15B60KDPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB30B60KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB4056DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4061DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGB20B60PD1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT
IRGB20B60PD1PBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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