參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PSH71UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 336K
代理商： IRG4PSH71UD
IRG4PSH71UD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
0
1
2
3
4
5
VCE , Collector-to-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IC
VGE= 15V
< 60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 150°C
4
6
8
10
VGE, Gate-to-Emitter Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VCC = 50V
< 60μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
f , Frequency ( kHz )
0
10
20
30
40
L
Duty cycle : 50%
Tj = 125°C
Tsink = 90°C
Gate drive as specified
Turn-on losses include
effects of
reverse recovery
Power Dissipation = 58W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSH71U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PSH71 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
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IRGB10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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