參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PSH71
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.97V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 42A條）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IRG4PSH71
IRG4PSH71K
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
10
R , Gate Resistance
20
30
40
50
5
10
15
20
T
V = 960V
V = 15V
T = 25 C
I = 42A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = 5.0
V = 15V
V = 960V
I = A
84
I = A
I = A
21
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
0
100
Q , Total Gate Charge (nC)
200
300
400
500
0
5
10
15
20
V
G
V
I
= 400V
= 42A
CC
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSH71K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRG4PSH71KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
IRGB10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGS10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGSL10B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4PSH71KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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