參數(shù)資料
型號： IRG4PC60U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 123K
代理商： IRG4PC60U
IRG4PC60U
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
20
30
40
50
60
70
80
IC, Collector Current (A)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
T
RG = 5.0
TJ = 150°C
VGE = 15V
VCC = 480V
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
IC
VGE = 20V
TJ = 125°
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
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參數(shù)描述
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IRG4PC60UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60U-PPBF 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 75A TO247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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