參數(shù)資料
型號： IRG4PC60F
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 118K
代理商： IRG4PC60F
IRG4PC60F
8
www.irf.com
Case Outline and Dimensions — TO-247AC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-247AC (TO-3P)
- D -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3.65 (.143)
3.55 (.140)
0.25 (.010)
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
C
A
S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- C -
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
D
M
M
B
- A -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- B -
1
2
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
5.45 (.215)
2X
*
NOTES:
1 DIMENSIONS & TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTR OLLIN G DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS ARE SHOW N
MILLIMETER S (IN CHES).
4 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE
TO-247AC .
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - COLLECTOR
3 - EMITTER
4 - COLLECTOR
*
LONGER LEADED (20m m)
VERSION AVAILABLE (TO-247AD)
TO ORDER ADD "-E" SU FFIX
TO PART NUMBER
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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.
04/02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC60U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH20 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC60F-P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC Solder Plate package
IRG4PC60FPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60F-PPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 600V 90A TO-247AC
IRG4PC60U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
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