參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC50KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 1.84V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 30A條）
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 211K
代理商： IRG4PC50KD
IRG4PC50FD
4
www.irf.com
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 6
- Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (
°
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
C
V
V = 15V
80μs PULSE W IDTH
A
I = 78A
I = 39A
I = 20A
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (
°
C)
V = 15V
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SING LE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + TC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRG4PC50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A)
IRG4PC50K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A)
IRG4PC50S INSULATED GATE BIPOLAR TANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.28V, @Vge=15V, Ic=41A)
IRG4PC50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
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