- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360951 > IRG4BC10SD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC10SD-STRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第14A一（c）|至263AB |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | IRG4BC10SD-STRR |
IRG4BAC50S
8
www.irf.com
Super-220 (TO-273AA) Package Outline
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 252-7105
IR GREAT BRITAIN:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
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Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
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K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
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1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
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16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC20MD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20UD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20UD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20W-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC10SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC10UD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR ((NS)) |
| IRG4BC10UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC10UDPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT |
| IRG4BC10UPBF | 功能描述:IGBT 模塊 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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