參數(shù)資料
型號： IRFZ48ZS
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 280K
代理商： IRFZ48ZS
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
VG
VDS= 44V
VDS= 28V
VDS= 11V
ID= 37A
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0 1.2
1.4 1.6
1.8
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BC10K Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4BC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
IRG4BC20FD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT
IRG4BC20MD-SPBF 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
IRG4BC30KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ48ZSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 61A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ48ZSPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRG 4BC15UDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRG 4PC40UDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRG 4PC40WPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
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