參數(shù)資料
型號： IRFZ48R
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.018ohm，身份證\u003d 50 *甲）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFZ48R
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48VS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG41BC30UD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ48RL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFZ48RLPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ48RPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48RS 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48RS_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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