參數資料
型號： IRFZ46NSTRR
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 9/10頁
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代理商： IRFZ46NSTRR
www.irf.com
9
TO-262 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-262 Part Marking Information
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ46 RES 5.1K-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ46N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)
IRFZ46NSTRL HEXFET POWER MOSFET
IRFZ46Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ46ZL AUTOMOTIVE MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFZ46NSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 53A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ46NSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ46S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFZ46Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ46ZL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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