參數(shù)資料
型號： IRFZ44NS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
中文描述： 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44NS
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
February 1999
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFZ44EL MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44ES MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44NS\31B 功能描述:MOSFET USE 781-SUB40N06-25L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRFZ44NSPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 55 V 3.8 W 63 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRFZ44NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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