參數(shù)資料
型號： IRFZ44NL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.0175ohm，身份證\u003d 49A條）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44NL
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 45 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
110
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1
10
100
1000
ID/A
VDS/V
RDS(ON) =VDS/ID
DC
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-06
0.0001
0.01
t/s
1
100
0.001
0.01
0.1
1
10
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Zth/(K/W)
February 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
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IRFZ44VS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
IRFZ44VZ Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
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參數(shù)描述
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IRFZ44NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 41A 17.5mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ44NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 49A TO-220AB
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