參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 50A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
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代理商： IRFZ44A
IRFZ46S/L
V
DD
= 25V
,
starting T
J
= 25°C, L = 34μH
R
G
= 25
, I
AS
= 54A. (See Figure 12)
I
SD
≤
54A, di/dt
≤
250A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRFZ46 data and test conditions
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 54A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 54A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
66
170
2.5
99
310
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
50
–––
–––
0.057 –––
–––
––– 0.024
2.0
–––
27
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
–––
120
–––
42
–––
96
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
=1mA
V
GS
=10V, I
D
= 32A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 32A
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 54A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 28V
I
D
= 54A
R
G
= 9.1
R
D
= 0.49
,
See Fig. 10
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
66
21
25
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
1800 –––
960
160
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nH
7.5
L
S
Internal Source Inductance
50
220
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44ND TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP
IRFZ44NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
IRFZ44STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
IRFZ44CN 制造商:ISC 制造商全稱(chēng):Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
IRFZ44EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRFZ44EL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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