參數(shù)資料
型號： IRFU9214
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-2.7A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 250V，的Rds（on）\u003d 3.0ohm，身份證\u003d- 2.7A）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 107K
代理商： IRFU9214
IRFR/U9214
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關PDF資料
PDF描述
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IRFR9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFU9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
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參數(shù)描述
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IRFU9220PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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