參數(shù)資料
型號： IRFU430APBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： IRFU430APBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.2A
3.2A
5.0A
TOP
BOTTOM
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 250μA
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
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PDF描述
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