參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3410PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 240K
代理商： IRFU3410PBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
EA
#$
#$
$
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PDF描述
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IRFU3418PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU3505PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU3704PbF HEXFET Power MOSFET
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