參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU18N15DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 229K
代理商： IRFU18N15DPBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
4.2
–––
–––
28
–––
7.6
–––
14
–––
8.8
–––
25
–––
15
–––
9.8
–––
900
–––
190
–––
49
–––
1160
–––
88
–––
95
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 11A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
43 I
D
= 11A
11
nC
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 11A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
200
11
11
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
130
660
1.3
190
980
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
18
72
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
––– 0.125
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.5
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.4
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU1N60APbF SMPS MOSFET
IRFU210 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFR210 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A)
IRFU2405PbF HEXFET Power MOSFET
IRFU24N15D SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU1920 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFU1N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU1N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU210 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU210A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*