參數(shù)資料
型號： IRFSL59N10D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 59A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： IRFSL59N10D
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
300
600
900
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
14.5A
25.0A
35.4A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB61N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB9N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N60A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFB9N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
IRFB9N65A Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=8.5A)
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參數(shù)描述
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IRFSL7440PBF 功能描述:MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL9N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL9N60APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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