參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL4610PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 427K
代理商： IRFSL4610PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
ID
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
100
105
110
115
120
125
V(
0
20
40
60
80
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
E
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
400
800
1200
1600
EA
ID
TOP
4.6A
6.3A
BOTTOM
44A
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
DC
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRFSL4615PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4615PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 150V 33A 42 mOhm 26 nC Qg TO 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 33A, TO-262
IRFSL4620PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFSL4620PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 200V 24A 78 mOhm 25 nC Qg TO
IRFSL4710 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 100 V 3.8 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262-3
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