參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL4310ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 437K
代理商： IRFSL4310ZPBF
www.irf.com
5
Fig 13.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 14.
Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
Fig 15.
Maximum Avalanche Energy vs. Temperature
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a temperature far in
excess of T
jmax
. This is validated for every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT
jmax
is not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in Figures 16a, 16b.
4. P
D (ave)
= Average power dissipation per single avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for voltage increase
during avalanche).
6. I
av
= Allowable avalanche current.
7.
Δ
T
=
Allowable rise in junction temperature, not to exceed
T
jmax
(assumed as
25°C in Figure 14).
t
av =
Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t
av
·f
Z
thJC
(D, t
av
) = Transient thermal resistance, see Figures 13)
P
D (ave)
= 1/2 ( 1.3·BV·I
av
) = T/ Z
thJC
I
av
=
2 T/ [1.3·BV·Z
th
]
E
AS (AR)
= P
D (ave)
·t
av
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τι
(sec)
0.018756 0.000373
0.159425 0.000734
0.320725 0.005665
0.101282 0.115865
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
tav (sec)
0.1
1
10
100
A
0.05
0.10
Duty Cycle = Single Pulse
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
ΔΤ
j = 25°C and
Tstart = 150°C.
0.01
Allowed avalanche Current vs avalanche
pulsewidth, tav, assuming
Δ
Tj = 150°C and
Tstart =25°C (Single Pulse)
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
EA
TOP Single Pulse
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 75A
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PDF描述
IRFS4410ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410ZPBF HEXFET Power MOSFET
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IRFS9N60A SMPS MOSFET
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