參數(shù)資料
型號： IRFSL33N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.056ohm，身份證\u003d 33A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： IRFSL33N15D
IRFB/IRFS/IRFSL33N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
8.1A
14A
20A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB4215 HEXFET Power MOSFET
IRFB4410 HEXFET Power MOSFET
IRFS4410 HEXFET Power MOSFET
IRFSL4410 HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFSL3507 功能描述:MOSFET N-CH 75V 97A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFSL3507PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 75V, 97A, 8.8 MOHM, 88 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 75V 97A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
IRFSL3607PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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