參數(shù)資料
型號(hào)： IRFSL11N50
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： IRFSL11N50
IRFSL11N50A
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
11A
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL11N50A N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFSZ14A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
IRFSZ20 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186
IRFSZ24 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186
IRFSZ30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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