參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS9N60APBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 244K
代理商： IRFS9N60APBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
5.5
–––
–––
––– 49 I
D
= 9.2A
–––
–––
13
–––
–––
20
–––
13
–––
–––
25
–––
–––
30
–––
–––
22
–––
–––
1400 –––
–––
180
–––
–––
7.1
–––
–––
1957 –––
–––
49
–––
–––
96
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 3.1A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 300V
I
D
= 9.2A
R
G
= 9.1
R
D
= 35.5
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
290
9.2
17
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.2A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
530
3.0
1.5
800
4.4
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
9.2
37
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
0.75
40
Units
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)
°C/W
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.66
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 5.5.A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.75
4.0
25
250
100
-100
V
V/°C
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS9N60A SMPS MOSFET
IRFSL9N60A SMPS MOSFET
IRFU024 HEXFET POWER MOSFET
IRFR024 HEXFET POWER MOSFET
IRFU110 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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IRFS9N60ATRR 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS9N60ATRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS9Z30 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186
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