參數(shù)資料
型號： IRFS4410ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 851K
代理商： IRFS4410ZPBF
www.irf.com
7
Fig 23a.
Switching Time Test Circuit
Fig 23b.
Switching Time Waveforms
Fig 22b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 22a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 24a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 24b.
Gate Charge Waveform
Fig 21.
!
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
"
"
+
-
+
+
+
-
-
-
!"#""
"#""&#
$%%
1K
20K
VCC
DUT
0
L
S
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1
Qgs2
Qgd
Qgodr
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
tp
V
(BR)DSS
I
AS
V
GS
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Second Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DS
V
GS
90%
10%
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFSL4410ZPBF HEXFET Power MOSFET
IRFS9N60APBF SMPS MOSFET
IRFS9N60A SMPS MOSFET
IRFSL9N60A SMPS MOSFET
IRFU024 HEXFET POWER MOSFET
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參數(shù)描述
IRFS4410ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS450 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET
IRFS450A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-247VAR
IRFS450B 功能描述:MOSFET 500V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS451 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | SOT-186VAR
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