參數(shù)資料
型號(hào)： IRFS4310ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 437K
代理商： IRFS4310ZPBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 10.
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 11.
Typical C
OSS
Stored Energy
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 12.
Maximum Avalanche Energy Vs. DrainCurrent
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
90
100
110
120
130
V(
ID = 5mA
0
20
40
60
80
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
E
μ
J
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
EA
ID
TOP
11A
19A
BOTTOM
75A
0.1
1
10
100
VDS, Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100
μ
sec
DC
25
50
75
100
125
150
175
TC, Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
ID
LIMITED BY PACKAGE
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