- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384498 > IRFS3207PBF (International Rectifier) HEXFET㈢Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS3207PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 387K |
| 代理商： | IRFS3207PBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL3207PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFS3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4310ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS3207TRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| IRFS3207TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3207ZPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3207ZPBF/010493-1/GE | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, TO GE AVIATION DWG 010493-1 - Rail/Tube |
| IRFS3207ZTRRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。