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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFS30N20D |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/11頁(yè) |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRFS30N20D |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS340 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS341 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS350 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS351 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFB30N20D | 200V,30A SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(200V,30A開(kāi)關(guān)電源 MOSFET用于高頻DC-DC變換器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS30N20DTRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| IRFS3107-7PPBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107PBF | 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107TRL7PP | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS3107TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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