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參數(shù)資料
| 型號： | IRFRU6215 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d-為150V，的Rds（on）\u003d 0.295ohm，身份證\u003d- 13A條） |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | IRFRU6215 |
IRFR/U6215
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFETS
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU6215 | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFRU9024N | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
| IRFU9024N | CAP 0.22UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| IRFR9024N | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFRU9024N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
| IRFRU9120N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) |
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| IRFRU9310 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A) |
| IRFS 3004-7PPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk |
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