參數(shù)資料
型號(hào)： IRFRC20TRL
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： IRFRC20TRL
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PDF描述
IRFRC20TR 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFRC20TRR 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
IRFUC20PBF 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
IRHM2C50SEUPBF 10.4 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRHM2C50SEDPBF 10.4 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFRC20TRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRR 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRC20TRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFRU024N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
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