參數(shù)資料
型號(hào): IRFR9310PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 264K
代理商: IRFR9310PBF
6
www.irf.com
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!
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
2
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
3-,0,#
3-,!
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
-0.49A
-0.7A
-1.1A
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PDF描述
IRFU9310PBF HEXFET POWER MOSFET
IRFR9N20DPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU9N20DPbF HEXFET Power MOSFET
IRFRC20PBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFR9310TR 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9310TRA 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9310TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9310TRLA 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9310TRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube